| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кратович, П. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-10-04T08:21:10Z | - |
| dc.date.available | 2024-10-04T08:21:10Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Кратович, П. С. Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 01 / Кратович Павел Сергеевич ; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2024. – 11 с. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57811 | - |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | en_US |
| dc.subject | наноэлектроника | en_US |
| dc.subject | приборное моделирование | en_US |
| dc.subject | гетеропереходный биполярный транзистор | en_US |
| dc.title | Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Appears in Collections: | 1-41 80 01 Микро- и наноэлектроника
|
