| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Корнилова, Ю. Д. | - |
| dc.contributor.author | Чубенко, Е. Б. | - |
| dc.contributor.author | Гапоненко, Н. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-11-05T09:00:37Z | - |
| dc.date.available | 2024-11-05T09:00:37Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Корнилова, Ю. Д. Фототок структур кремний/титанат бария/никель = Photocurrent in Silicon/Barium Titanate/Nikel Structures / Ю. Д. Корнилова, Е. Б. Чубенко, Н. В. Гапоненко // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 5. – С. 12–16. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58176 | - |
| dc.description.abstract | С использованием золь-гель-метода синтезированы фоточувствительные структуры кремний/титанат бария/никель с нелегированным титанатом бария и легированным европием. Изучены вольт-амперные характеристики в условиях освещения ксеноновой лампой с выделением монохроматической линии в диапазоне 400–800 нм и в темновом режиме. Синтезированные структуры показали наличие фототока на обратной ветви вольт-амперных характеристик во всем исследованном диапазоне длин волн освещения. Максимальный ток обратной ветви для структуры с нелегированным титанатом бария был достигнут при воздействии излучения с длиной волны 470 нм и составил около 0,6 мкА для диапазона напряжения смещения от 2 до 10 В. Легирование титаната бария европием приводит к увеличению фототока на 17–26 %. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | фоточувствительные структуры | en_US |
| dc.subject | титанат бария | en_US |
| dc.subject | золь-гель-синтез | en_US |
| dc.title | Фототок структур кремний/титанат бария/никель | en_US |
| dc.title.alternative | Photocurrent in Silicon/Barium Titanate/Nikel Structures | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | https://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-12-16 | - |
| local.description.annotation | Photosensitive silicon/barium titanate/nickel structures with undoped barium titanate and doped europium were synthesized using the sol-gel method. The current-voltage characteristics were studied under illumination with a xenon lamp, highlighting a monochromatic line in the range of 400–800 nm and in dark mode. The synthesized structures showed the presence of a photocurrent on the reverse branch of the current-voltage characteristics over the entire studied range of illumination wavelengths. The maximum reverse branch current for a structure with undoped barium titanate was achieved when exposed to radiation with a wavelength of 470 nm and was about 0.6 μA for a bias voltage ranging from 2 to 10 V. Doping barium titanate with europium leads
to an increase in the photocurrent by 17–26 %. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 22, № 5
|
