| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Волчёк, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-12-12T06:36:49Z | - |
| dc.date.available | 2024-12-12T06:36:49Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Патент BY 24362, МПК H 01L 29/737 (2006.01). Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе графена и нитрида бора : № a 20220173 ; заявлено 29.06.2022 ; опубликовано 20.08.2024 / Волчёк В. С., Стемпицкий В. Р. ; заявитель Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники". – 6 с. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58475 | - |
| dc.description.abstract | Изобретение относится к области твердотельной электроники, в частности к конструкции гетероструктурного полевого транзистора, и может быть использовано в качестве элемента при создании интегральных микросхем силовой и сверхвысокочастотной электроники. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | en_US |
| dc.subject | патенты | en_US |
| dc.subject | твердотельная электроника | en_US |
| dc.subject | полевые транзисторы | en_US |
| dc.subject | гетероструктурные транзисторы | en_US |
| dc.title | Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе графена и нитрида бора | en_US |
| dc.title.alternative | Патент BY 24362, МПК H 01L 29/737 (2006.01) | en_US |
| dc.type | Other | en_US |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
