Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58542
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГапоненко, Н. В.-
dc.contributor.authorМахмутов, Р. Т.-
dc.contributor.authorЛашковская, Е. И.-
dc.contributor.authorТелеш, Е. В.-
dc.contributor.authorШустикова, К. В.-
dc.contributor.authorКовалев, В. А.-
dc.contributor.authorРадюш, Ю. В.-
dc.contributor.authorЖигулин, Д. В.-
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.-
dc.contributor.authorСемченко, А. В.-
dc.coverage.spatialГомельen_US
dc.date.accessioned2024-12-19T12:05:18Z-
dc.date.available2024-12-19T12:05:18Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationТонкопленочный конденсатор на основе титаната бария, сформированного золь-гель методом на титане / Н.В. Гапоненко, Р.Т. Махмутов, Е.И. Лашковская [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. – 2024. – Т. 60, № 3. – С. 7–12.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58542-
dc.description.abstractНа основе многослойной золь-гель пленки титаната бария с использованием титановой подложки изготовлен лабораторный тонкопленочный конденсатор. Приведены результаты измерения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь сформированного конденсатора в диапазоне частот 0,2 кГц - 200 кГц. Установлено, что при переходе от низкочастотного диапазона к высокочастотному значение тангенса угла диэлектрических потерь уменьшается на порядок и составляет 0,032-0,039 для диапазона частот от 50 кГц до 200 кГц. Для всего исследуемого диапазона значение емкости конденсатора составляет 560-750 пФ и удельной емкости 41-55 нФ/см2. Для диапазона частот 0,2 кГц - 200 кГц рассчитана диэлектрическая проницаемость титаната бария, изменяющаяся от 136 до 43.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherГомельский государственный университет имени Франциска Скориныen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectзоль-гель методen_US
dc.subjectтонкопленочные конденсаторыen_US
dc.subjectдиэлектрические потериen_US
dc.titleТонкопленочный конденсатор на основе титаната бария, сформированного золь-гель методом на титанеen_US
dc.title.alternativeThin-film capacitor based on barium titanate formed by the sol-gel method on titaniumen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIhttps://doi.org/10.54341/20778708_2024_3_60_7-
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Gaponenko_Tonkoplenochnyj.pdf3.17 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.