| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Чонг Тхань Нгуен | - |
| dc.contributor.author | Дао Динь Ха | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-15T06:11:28Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-15T06:11:28Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала = Design solutions for device structures of bipolar transistors with an insulated gate and a vertical channel arrangement / Чонг Тхань Нгуен, Дао Динь Ха, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 6. – С. 81–89. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58734 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты компьютерного моделирования эксплуатационных характеристик приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (англ. IGBT) и вертикальным расположением канала, сформированных в соответствии с технологиями Trench-IGBT, суперпереходной Trench-IGBT (SJ-IGBT), SJ-IGBT с глубокой канавкой (DT-SJ-IGBT), SJ-IGBT с плавающей p-областью (FP-SJ-IGBT) и Trench-IGBT со ступенчатым легированным коллектором. Рассмотрены особенности функционирования конструктивных решений такого биполярного транзистора. Исследована конструкция Trench-IGBT со ступенчатым легированным коллектором, которая обеспечивает уменьшение потерь при выключении. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | компьютерное моделирование | en_US |
| dc.subject | биполярные транзисторы | en_US |
| dc.subject | конструкция Trench-IGBT | en_US |
| dc.title | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала | en_US |
| dc.title.alternative | Design solutions for device structures of bipolar transistors with an insulated gate and a vertical channel arrangement | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-81-89 | - |
| local.description.annotation | This work presents the results of computer simulations of the operational characteristics of vertical channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) device structures designed according to the following technolo gies: Trench-IGBT, Superjunction Trench-IGBT (SJ-IGBT), Deep Trench SJ-IGBT (DT-SJ-IGBT), Floating p-region SJ-IGBT (FP-SJ-IGBT), and Step-Doped Collector Trench-IGBT. The operating principles of these insulated gate bipolar transistor design solutions are discussed. A particular focus is placed on the Step-Doped Collector Trench-IGBT structure, which demonstrates reduced switching losses. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 22, № 6
|
