| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Фам, В. Т. | - |
| dc.contributor.author | Максимов, С. Е. | - |
| dc.contributor.author | Уткина, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Чубенко, Е. Б. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-15T06:50:10Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-15T06:50:10Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода = Capacitance of film structures including graphitic carbon nitride / В. Т. Фам, С. Е. Максимов, Е. А. Уткина, Е. Б. Чубенко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 6. – С. 5–13. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58736 | - |
| dc.description.abstract | Скоростным осаждением графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4) из меламина на подложки из кремния (Si) и алюминия (Al), часть поверхности которых была покрыта оксидом – соответственно SiO2 или Al2O3, с поверхностными пленочными контактами из Al изготовлены структуры Al/g-C3N4/Si/Al, Al/g-C3N4/SiO2/Si/Al, Al/g-C3N4/Al и Al/g-C3N4/Al2O3/Al. На них при комнатной температуре измерены вольт-фарадные характеристики и зависимость емкости от частоты измерительного сигнала. Установлено, что диэлектрическая проницаемость g-C3N4 составляет 14 в структурах на кремнии и 9–10 в структурах на алюминии. Уменьшение диэлектрической проницаемости объясняется образованием Al2O3 на границе g-C3N4/Al в процессе осаждения g-C3N4, на что указывают результаты проведенного рентгенодифракционного анализа сформированных образцов. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | МОП-структура | en_US |
| dc.subject | графитовые наноматериалы | en_US |
| dc.subject | нитрид углерода | en_US |
| dc.title | Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода | en_US |
| dc.title.alternative | Capacitance of film structures including graphitic carbon nitride | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-5-13 | - |
| local.description.annotation | Аl/g-C3N4/Si/Al, Al/g-C3N4/SiO2/Si/Al, Al/g-C3N4 /Al and Al/g-C3N4/Al2O3/Al structures were fabri cated by rapid chemical vapor deposition of graphitic carbon nitride (g-C3N4) from melamine onto silicon (Si) and aluminum (Al) substrates partially coated with appropriate oxide – SiO2 or Al2O3 – and Al contacts deposited on the surface. Their capacitance-voltage characteristics and frequency dependence of the capacitance were measured at room temperature. It was found that the permittivity of g-C3N4 is 14 in structures on silicon and 9–10 in structures on aluminum. The decrease in permittivity is explained by the formation of Al2O3at the g-C3N4/Al boundary during the deposition of g-C3N4, as indicated by the results of the X-ray diffraction analysis of the formed samples. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 22, № 6
|
