| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Dronina, L. A. | - |
| dc.contributor.author | Kovalchuk, N. G. | - |
| dc.contributor.author | Danilyuk, A. L. | - |
| dc.contributor.author | Lutsenko, E. V. | - |
| dc.contributor.author | Danilchyk, A. V. | - |
| dc.contributor.author | Prischepa, S. L. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-16T08:54:47Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-16T08:54:47Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Analysis of temperature dependent parameters of graphene/n-Si heterojunction = Анализ температурных зависимостей параметров гетероперехода графен/n-Si / L. A. Dronina, N. G. Kovalchuk, A. L. Danilyuk, E. V. Lutsenko [et al.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 46–49. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58787 | - |
| dc.description.abstract | In this study, the forward bias I-V characteristics of graphene/n-Si heterojunctions were studied in the wide temperature range of 10–320 K in order to get detailed information on the barrier heights distribution (𝜑𝜑𝐵𝐵). The Schottky parameters (𝜑𝜑𝐵𝐵, η) are estimated in the framework of the thermoelectron emission theory using Cheung-Cheung method considering the presence of the interface native oxide layer. At room temperature, we obtain an ideality factor of about 2.5 and a Schottky barrier height of ~0.22 eV, which reduces at lower temperatures. A quantitative analysis of the inhomogeneity in Schottky barrier heights is presented using the potential fluctuation model proposed by Werner and Guttler. | en_US |
| dc.language.iso | en | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | Schottky diodes | en_US |
| dc.subject | graphene | en_US |
| dc.subject | current-voltage characteristic | en_US |
| dc.title | Analysis of temperature dependent parameters of graphene/n-Si heterojunction | en_US |
| dc.title.alternative | Анализ температурных зависимостей параметров гетероперехода графен/n-Si | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | В данной работе исследовались прямые темновые вольтамперные характеристики гетероперехода графен/n-Si в широком температурном диапазоне 10-320 K с целью получения детальной информации о распределении высоты барьеров (φB). Основные параметры диода Шоттки (φB, η) оценены в рамках теории термоэлектронной эмиссии по методу Чунгов с учетом наличия межфазного оксидного слоя. Установлено, что при комнатной температуре коэффициент неидеальности достигает значения ~2,5, а высота барьера Шоттки ~0,22 эВ. Количественный анализ
неоднородности высоты барьера Шоттки представлен с использованием модели предложенной Вернером и Гуттлером. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
