| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Козич, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Баглов, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Хорошко, Л. С. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-16T11:41:45Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-16T11:41:45Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Зонная структура аксиально-деформированного в направлении (100) монослоя дисульфида = Band structure of axially deformed (100) rhenium disulphide monolayer / А. В. Козич, А. В. Баглов, Л. С. Хорошко, Д. Б. Мигас // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 92–95. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58796 | - |
| dc.description.abstract | Путем численного квантово-механического моделирования методами из первых принципов
исследована зонная структура монослоя дисульфида рения в условиях его аксиального
деформирования растяжением в направлении (100). Установлено, в области исследованных
деформаций (до 5% с шагом 0,5%) сохраняется кристаллическая структура с пространственной
группой P1
с небольшим компенсирующим растяжение изменением углов и длин межатомных связей.
Показано, что в области исследованных деформаций материал сохраняет полупроводниковые
свойства с равномерным уменьшением ширины запрещенной зоны на 0,32 эВ. Ожидается, что
дальнейшая деформация будет приводить к переходу в непрямозонный полупроводник с
уменьшением ширины запрещенной зоны. | en_US |
| dc.language.iso | en | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | электронная структура | en_US |
| dc.subject | дисперсия зоны | en_US |
| dc.subject | энергетическая щель | en_US |
| dc.subject | стрейнтроника | en_US |
| dc.subject | дисульфиды | en_US |
| dc.subject | рений | en_US |
| dc.subject | теория функционала плотности | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.title | Зонная структура аксиально-деформированного в направлении (100) монослоя дисульфида | en_US |
| dc.title.alternative | Band structure of axially deformed (100) rhenium disulphide monolayer | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The band structure of a rhenium disulfide monolayer was studied under axial deformation by
stretching in the (100) direction within numerical modelling of quantum-mechanical from first-principles
methods. It was found that within the range of the investigated deformations (up to 5% with a step of 0.5%),
the crystal structure with the space group P1
is maintained with a minor stretch-compensating alteration in the
angles and lengths of interatomic bonds. The material maintains its semiconductor characteristics, exhibiting
a consistent reduction in the band gap by 0.32 eV within the range of deformations examined. It is expected
that further deformation will lead to the transition to an indirect-gap semiconductor, accompanied by a reduction
in the band gap. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
