| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Сафронов, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Филонов, А. Б. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-16T12:00:50Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-16T12:00:50Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Анизотропия продольной теплопроводности в (001), (110) и (111)-ориентированных слоистых Si/Ge плёнках = Anisotropy of in-plane thermal conductivity of (001), (110) and (111)-oriented layered Si/Ge thin-films / А. Л. Хомец, И. В. Сафронов, А. Б. Филонов, Д. Б. Мигас // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 54–57. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58797 | - |
| dc.description.abstract | В работе с помощью метода молекулярной динамики проведено исследование влияния поверхности и границ раздела на анизотропию продольной теплопроводности слоистых Si/Ge плёнок с (001), (110) и (111) ориентациями. Показано, что анизотропный тепловой транспорт в слоистых Si/Ge плёнках характерен для (001) и (110) ориентаций, в то время как в Si/Ge сверхрешётках анизотропия сохраняется только в случае (110) ориентации. Обсуждено изменение фононных дисперсионных кривых, а также влияние фонон-поверхностного и фонон-интерфейсного рассеяния в возникновении анизотропии. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | термоэлектрические материалы | en_US |
| dc.subject | молекулярная динамика | en_US |
| dc.subject | фононная теплопроводность | en_US |
| dc.title | Анизотропия продольной теплопроводности в (001), (110) и (111)-ориентированных слоистых Si/Ge плёнках | en_US |
| dc.title.alternative | Anisotropy of in-plane thermal conductivity of (001), (110) and (111)-oriented layered Si/Ge thin-films | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | In this work by means molecular dynamics method the effect of surface and interfaces on the anisotropy of the in-plane thermal conductivity of layered Si/Ge films with (001), (110) and (111) orientations were studied. It was shown that the anisotropic thermal transport in layered Si/Ge thin-films is typical of (001) and (110) orientations, while in Si/Ge superlattices anisotropy is retained only in the case of (110) orientation. The change in phonon dispersion curves and the influence of phonon-surface and phonon-interface scattering on the occurrence of anisotropy was studied. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
