| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Курапцова, А. А | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-17T06:41:21Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-17T06:41:21Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Курапцова, А. А. Зарядовые свойства гетероструктуры пленки углеродных нанотрубок на кремнии при облучении ультрафиолетом = Charge properties of a heterostructure of carbon nanotubes film on silicon under ultraviolet irradiation / А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 75–78. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58801 | - |
| dc.description.abstract | В работе путем компьютерного моделирования с помощью программного пакета Comsol Multiphysics исследуются зарядовые свойства гетероструктуры пленка одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) на кремнии в условиях падающего на гетероструктуру излучения длиной волны 300 нм. В результате моделирования были обнаружены зависимости поверхностной плотности электрического заряда σ и потенциала Vs от энергии Et ловушечных состояний на поверхности пленки, монотонное уменьшение данных значений с ростом Et, а также отличие в значениях данных величин в условиях наличия падающего излучения и его отсутствия. Наибольшая разница в значениях σ при наличии излучения и его отсутствии была обнаружена при Et=0 эВ и составила 10-6 мкКл/см-2. Различие в значениях Vs слабо отличалось для каждого значение энергии Et и составляло примерно 47 мВ. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | компьютерное моделирование | en_US |
| dc.subject | ультрафиолетовое излучение | en_US |
| dc.subject | гетероструктура | en_US |
| dc.subject | Comsol Multiphysics | en_US |
| dc.subject | углеродные нанотрубки | en_US |
| dc.title | Зарядовые свойства гетероструктуры пленки углеродных нанотрубок на кремнии при облучении ультрафиолетом | en_US |
| dc.title.alternative | Charge properties of a heterostructure of carbon nanotubes film on silicon under ultraviolet irradiation | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | In this work, the charge properties of a heterostructure of a single-wall carbon nanotubes (SWCNT) film on silicon under irradiation of 300 nm wavelength are investigated by using computer modeling with the Comsol Multiphysics software package. As a result of modeling, the dependences of the surface electric charge density σ and the potential Vs on the energy Et of trap states on the film surface, a monotonic decrease in these values with increasing Et, as well as a difference in these values under conditions of the presence of incident irradiation and its absence were found. The greatest difference in the σ values in the presence and absence of irradiation was found at Et=0 eV and was 10-6 μC/cm-2. The difference in the Vs values was slightly different for each value of the energy Et and was approximately 47 mV. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
