| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Новиков, П. Э. | - |
| dc.contributor.author | Кратович, П. С. | - |
| dc.contributor.author | Корсак, К. В. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-01-17T08:10:04Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-17T08:10:04Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Верификация методики определения параметров компактной модели GaAs гетеропереходных биполярных транзисторов = Verification of a methodology for determining the parameters of a compact model for GaAs heterojunction bipolar transistors / П. Э. Новиков, П. С. Кратович, К. В. Корсак, И. Ю. Ловшенко // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 189–191. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58815 | - |
| dc.description.abstract | Разработана методика определения параметров (экстракции) модели Mextram level 504 для гетеропереходных биполярных транзисторов (ГБТ) на основе GaAs. Экстрагированные параметры обеспечили высокую точность моделирования вольт-амперных характеристик, что подтверждает эффективность методики. Моделирование выполнено без использования специальных тестовых структур. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | приборное моделирование | en_US |
| dc.subject | биполярные транзисторы с гетеропереходом | en_US |
| dc.subject | верификация | en_US |
| dc.subject | GaAs | en_US |
| dc.title | Верификация методики определения параметров компактной модели GaAs гетеропереходных биполярных транзисторов | en_US |
| dc.title.alternative | Verification of a methodology for determining the parameters of a compact model for GaAs heterojunction bipolar transistors | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | A parameter extraction methodology for Mextram level 504 models of GaAs heterojunction bipolar transistors has been designed. The extracted parameters yielded high-accuracy simulation of current-voltage characteristics, which shows the methodology's effectiveness. Simulations were performed without the use of special test structures. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
