| Title: | Лавинный пробой транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящим элементом на основе графена |
| Other Titles: | Avalanche breakdown in gallium nitride high electron mobility transistors enhanced by graphene heat-eliminating elements |
| Authors: | Волчёк, В. С. |
| Keywords: | материалы конференций;гетероструктурные полевые транзисторы;графен;лавинный пробой;модель Чиновета;нитрид галлия;теплоотводящие элементы;ударная ионизация |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Волчёк, В. С. Лавинный пробой транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящим элементом на основе графена = Avalanche breakdown in gallium nitride high electron mobility transistors enhanced by graphene heat-eliminating elements / В. С. Волчёк // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 11–14. |
| Abstract: | Одной из главных проблем транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе
нитрида галлия, препятствующих их развитию, является эффект саморазогрева. Неравномерное
распределение рассеиваемой мощности и повышение средней температуры приводят к появлению
вблизи канала области с очень высокой температурой и деградации прибора. Среди перспективных
решений, направленных на снижение влияния эффекта саморазогрева, стоит отметить использование
теплоотводящих элементов на основе двумерных материалов с высокой теплопроводностью, таких как
графен и гексагональный нитрид бора. Недостатком графенового теплоотводящего элемента является
его высокая электрическая проводимость, что ограничивает область его возможного расположения.
В данной работе показано, что малое расстояние между затвором и слоями графена приводит
к преждевременному пробою, вызванному лавинообразной генерацией носителей заряда. |
| Alternative abstract: | One of the main problems that hinder the expansion of high electron mobility transistors based on
gallium nitride is the self-heating effect. The non-uniform distribution of dissipated power and the increase in
average temperature lead to the formation of a hot spot near the active area, resulting in device degradation.
Among the promising solutions for tackling the self-heating issues is the use of heat-eliminating elements
based on two-dimensional materials with high thermal conductivity such as graphene and hexagonal boron
nitride. A disadvantage of graphene heat-eliminating elements is their high electrical conductivity, which limits
the areas of their possible location. In this work, we show that a small spacing between the gate and graphene
layers leads to a premature breakdown due to the avalanche-like generation of charge carriers. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58819 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024)
|
