| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-02-17T07:55:13Z | - |
| dc.date.available | 2025-02-17T07:55:13Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Шапошников, В. Л. Электронные и оптические свойства латеральных гетероструктур из дисульфидов переходных металлов, содержащих дефекты и примеси / В. Л. Шапошников, А. В. Кривошеева, В. Е. Борисенко // Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах : сборник научных статей / Институт тепло- и массообмена имени А. В. Лыкова НАН Беларуси ; редкол.: О. Г. Пенязьков [и др.]. – Минск, 2024. – С. 337–342. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59120 | - |
| dc.description.abstract | Двумерные (2D) структуры атомарной толщины привлекают повышенное внимание благодаря своим уникальным физическим и химическим свойствам и рассматриваются в качестве основы полупроводниковых материалов для
наноустройств нового поколения [1]. В последние годы существенно возросло количество теоретических и экспериментальных исследований таких материалов как графена,
h-BN, фосфорена, дихалькогенидов переходных металлов.
По сравнению с прочной ковалентной связью между слоями
в традиционных полупроводниках, в 2D-материалах отдельные слои атомарной или молекулярной толщины связаны
между собой слабыми силами Ван-дер-Ваальса, которые
способствуют существованию стабильной многослойности в
них. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Институт тепло- и массообмена имени А. В. Лыкова НАН Беларуси | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | наноустройства | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые материалы | en_US |
| dc.subject | 2D-материалы | en_US |
| dc.subject | двумерные материалы | en_US |
| dc.subject | гетероструктуры | en_US |
| dc.title | Электронные и оптические свойства латеральных гетероструктур из дисульфидов переходных металлов, содержащих дефекты и примеси | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
