DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Горох, Г. Г. | - |
dc.contributor.author | Федосенко, В. С. | - |
dc.contributor.author | Эм, М. | - |
dc.contributor.author | Таратын, И. А. | - |
dc.coverage.spatial | Нальчик | en_US |
dc.date.accessioned | 2025-02-20T07:50:45Z | - |
dc.date.available | 2025-02-20T07:50:45Z | - |
dc.date.issued | 2024 | - |
dc.identifier.citation | Формирование и исследование наноструктурированных систем на основе полупроводниковых соединений висмута, индия, сурьмы и теллура = Formation and study of nanostructured systems based on semiconductor compounds of bismuth, indium, antimony and tellurium / Г. Г. Горох, В. С. Федосенко, М. Эм, И. А. Таратын // Микро- и нанотехнологии в электронике : материалы XIV Международной научно-технической конференции, Нальчик, 3−7 июня 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: А. М. Кармоков (отв. ред.), О. А. Молоканов. – Нальчик, 2024. – С. 176–181. | en_US |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59167 | - |
dc.description.abstract | Сформированы наноструктурированные системы на основе соединений висмута, индия, сурьмы и теллура, представляющие собой массивы электроосажденных нанопроводов бинарных полупроводников и наноструктурированные композитные пленки, полученные ионным наслаиванием на матрицы анодного оксида алюминия. Проведены комплексные исследования морфологии и состава полученных композитных пленок методами сканирующей электронной микроскопии и электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа. | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова | en_US |
dc.subject | публикации ученых | en_US |
dc.subject | композитные материалы | en_US |
dc.subject | оксидные соединения | en_US |
dc.subject | анодный оксид алюминия | en_US |
dc.title | Формирование и исследование наноструктурированных систем на основе полупроводниковых соединений висмута, индия, сурьмы и теллура | en_US |
dc.title.alternative | Formation and study of nanostructured systems based on semiconductor compounds of bismuth, indium, antimony and tellurium | en_US |
dc.type | Article | en_US |
local.description.annotation | Nanostructured systems based on bismuth, indium, antimony and tellurium compounds have been formed, representing arrays of electrodeposited nanowires of binary semiconductors and nanostructured composite films obtained by ion layering on anodic aluminum oxide matrices. Comprehensive studies of the morphology and composition of the obtained composite films have been carried out using scanning electron microscopy and electron probe X-ray spectral microanalysis. | en_US |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|