Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59167
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.-
dc.contributor.authorФедосенко, В. С.-
dc.contributor.authorЭм, М.-
dc.contributor.authorТаратын, И. А.-
dc.coverage.spatialНальчикen_US
dc.date.accessioned2025-02-20T07:50:45Z-
dc.date.available2025-02-20T07:50:45Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationФормирование и исследование наноструктурированных систем на основе полупроводниковых соединений висмута, индия, сурьмы и теллура = Formation and study of nanostructured systems based on semiconductor compounds of bismuth, indium, antimony and tellurium / Г. Г. Горох, В. С. Федосенко, М. Эм, И. А. Таратын // Микро- и нанотехнологии в электронике : материалы XIV Международной научно-технической конференции, Нальчик, 3−7 июня 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: А. М. Кармоков (отв. ред.), О. А. Молоканов. – Нальчик, 2024. – С. 176–181.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59167-
dc.description.abstractСформированы наноструктурированные системы на основе соединений висмута, индия, сурьмы и теллура, представляющие собой массивы электроосажденных нанопроводов бинарных полупроводников и наноструктурированные композитные пленки, полученные ионным наслаиванием на матрицы анодного оксида алюминия. Проведены комплексные исследования морфологии и состава полученных композитных пленок методами сканирующей электронной микроскопии и электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherКабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербековаen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectкомпозитные материалыen_US
dc.subjectоксидные соединенияen_US
dc.subjectанодный оксид алюминияen_US
dc.titleФормирование и исследование наноструктурированных систем на основе полупроводниковых соединений висмута, индия, сурьмы и теллураen_US
dc.title.alternativeFormation and study of nanostructured systems based on semiconductor compounds of bismuth, indium, antimony and telluriumen_US
dc.typeArticleen_US
local.description.annotationNanostructured systems based on bismuth, indium, antimony and tellurium compounds have been formed, representing arrays of electrodeposited nanowires of binary semiconductors and nanostructured composite films obtained by ion layering on anodic aluminum oxide matrices. Comprehensive studies of the morphology and composition of the obtained composite films have been carried out using scanning electron microscopy and electron probe X-ray spectral microanalysis.en_US
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fedosenko_Formirovanie.pdf708.02 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.