| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Богатов, Н. М. | - |
| dc.contributor.author | Володин, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Григорьян, Л. Р. | - |
| dc.contributor.author | Коваленко, М. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Ростов-на-Дону | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-02-26T08:34:35Z | - |
| dc.date.available | 2025-02-26T08:34:35Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Моделирование электрического поля п-р перехода с учетом поверхностных состояний = Simulation of the electric field of n-p junction with surface states / Н. М. Богатов, В. С. Володин, Л. Р. Григорьян, М. С. Коваленко // Компьютерные и информационные технологии в науке, инженерии и управлении «КомТех-2024» : материалы Всероссийской научно-технической конференции с международным участием : в 2 т. Т. 1 / Южный федеральный университет [и др.] ; отв. ред. С. И. Клевцов. – Ростов-на-Дону ; Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2024. – С. 239–245. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59215 | - |
| dc.description.abstract | Влияние поверхностных состояний на распределение электрического поля в
диффузионном п-р переходе в кремнии промоделировано численно. Краевое условие
для уравнения Пуассона учитывает общую электронейтральность образца
и плотность электронных состояний на поверхности эмиттера. Показано, что
изменение электрического потенциала вследствие существования поверхностных
электронных состояний создает электрическое поле, направляющее неосновные
носители заряда к поверхности и повышающее скорость их рекомбинации. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Издательство Южного федерального университета | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | n-р переход | en_US |
| dc.subject | потенциал электрического поля | en_US |
| dc.subject | уравнение Пуассона | en_US |
| dc.subject | поверхностные состояния | en_US |
| dc.subject | электроны | en_US |
| dc.subject | кремний | en_US |
| dc.title | Моделирование электрического поля n-p перехода с учетом поверхностных состояний | en_US |
| dc.title.alternative | Simulation of the electric field of n-p junction with surface states | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The influence of surface states on the electric field distribution in a diffusion n-p
junction in silicon is simulated numerically. The boundary condition for the Poisson
equation takes into account the overall electrical neutrality of the sample and the density
of electronic states on the emitter surface. It is shown that a change in the electric
potential due to the existence of surface electronic states creates an electric field that
directs minority charge carriers to the surface and increases the rate of their recombination. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерные и информационные технологии в науке, инженерии и управлении «КомТех-2024»
|
