Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5923
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.date.accessioned2016-03-03T07:44:44Z-
dc.date.accessioned2017-07-19T11:13:10Z-
dc.date.available2016-03-03T07:44:44Z-
dc.date.available2017-07-19T11:13:10Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМищенко, В. Н. Моделирование процессов переноса электронов в гетероструктурах GaAs–AlxGa1–XAs / В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов Х Белорусско-российской научно-технической конференции, 29–30 мая 2012 г., Минск. - Минск: БГУИР, 2012. - С. 72ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5923-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectтелекоммуникационные устройстваru_RU
dc.subjectдиапазон КВЧru_RU
dc.titleМоделирование процессов переноса электронов в гетероструктурах GaAs–AlxGa1–XAsru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2012

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Mishchenko_Modelirovaniye.PDF323.18 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.