| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-03-03T07:44:44Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T11:13:10Z | - |
| dc.date.available | 2016-03-03T07:44:44Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-19T11:13:10Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Мищенко, В. Н. Моделирование процессов переноса электронов в гетероструктурах GaAs–AlxGa1–XAs / В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов Х Белорусско-российской научно-технической конференции, 29–30 мая 2012 г., Минск. - Минск: БГУИР, 2012. - С. 72 | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5923 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | телекоммуникационные устройства | ru_RU |
| dc.subject | диапазон КВЧ | ru_RU |
| dc.title | Моделирование процессов переноса электронов в гетероструктурах GaAs–AlxGa1–XAs | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2012
|
