| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Васютич, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Матусевич, П. А. | - |
| dc.contributor.author | Турло, А. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-04-11T06:45:05Z | - |
| dc.date.available | 2025-04-11T06:45:05Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Исследование электронно-фононного взаимодействия в графене, модифицированном атомами фтора = Study of electron-phonon interaction in graphene modified by fluorine atoms / В. Н. Мищенко, А. Д. Васютич, П. А. Матусевич, А. В. Турло // Технические средства защиты информации : материалы ХXIII Международной научно-технической конференции, Минск, 08 апреля 2025 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2025. – С. 242–245. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59472 | - |
| dc.description.abstract | Графен, обладающий высокой подвижностью носителей заряда, которая превышает подвижность носителей заряда для всех известных материалов, рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов. Приведены результаты моделирования интенсивностей рассеивания электронов на акустических и оптических фононах в слое графена, который модифицирован атомами фтора, без учета воздействия подложки. При моделировании этих интенсивностей рассмотрен вариант одновременного протекания процессов излучения и поглощения фононов. Полученные зависимости интенсивностей рассеивания носителей заряда позволят путем моделирования с использованием метода Монте Карло исследовать основные характеристики переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах, содержащих слои модифицированного графена. Полученные в результате моделирования характеристики и параметры рассмотренного соединения могут быть использованы для создания новых гетероструктурных приборов, обладающих улучшенными выходными характеристиками. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.subject | графены | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
| dc.title | Исследование электронно-фононного взаимодействия в графене, модифицированном атомами фтора | en_US |
| dc.title.alternative | Study of electron-phonon interaction in graphene modified by fluorine atoms | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Graphene, which has a high mobility of charge carriers, which exceeds the mobility of charge carriers for all known materials, is currently considered as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices. The results of modelling of electron scattering intensities on acoustic and optical phonons in a layer of graphene, which is modified by fluorine atoms, without taking into account the influence of the substrate, are presented. When modelling these intensities, a variant of simultaneous emission and absorption of phonons is considered. The obtained dependences of the charge carrier scattering intensities will allow us to investigate the main characteristics of the charge carrier transfer in semiconductor structures containing layers of modified graphene by means of Monte Carlo simulations. The characteristics and parameters of the considered compound obtained as a result of modelling can be used to create new hetero structural devices with improved output characteristics. | en_US |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2025
|
