| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сидорова, Т. Н. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-04-16T06:45:40Z | - |
| dc.date.available | 2025-04-16T06:45:40Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Сидорова, Т. Н. Нелинейный токоперенос в наноструктуре ферромагнетик / широкозонный полупроводник / ферромагнетик = Nonlinear transport in the ferromagnetic/ wide-gap semiconductor/ ferromagnetic nanostructure / Т. Н. Сидорова, А. Л. Данилюк // Технические средства защиты информации : материалы ХXIII Международной научно-технической конференции, Минск, 08 апреля 2025 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2025. – С. 292–296. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59533 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе разработана модель токопереноса в туннельных наноструктурах ферромагнетик/ широкозонный полупроводник/ ферромагнетик с использованием двухзонной модели Франца-Кейна и метода фазовых функций. Рассчитаны вольт-амперная характеристика и туннельное магнитосопротивление (ТМС) такой наноструктуры с учетом возникновения дополнительного канала токопереноса через валентную зону широкозонного полупроводника. Показано, что если уровень Ферми Е? лежит ниже середины запрещенной зоны широкозонного полупроводника, в зависимости туннельного тока от внешнего смещения возникают участки отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС). Установлено, что ТМС основного канала монотонно спадает, а ТМС дополнительного канала осциллирует с ростом внешнего смещения, коррелируя с ВАХ. Наличие эффекта ОДС в рассматриваемых наноструктурах позволит существенно увеличить значение ТМС, что важно для практических применений. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | наноструктуры | en_US |
| dc.subject | квантовая механика | en_US |
| dc.subject | метод фазовыхфункций | en_US |
| dc.subject | широкозонные полупроводники | en_US |
| dc.title | Нелинейный токоперенос в наноструктуре ферромагнетик / широкозонный полупроводник / ферромагнетик | en_US |
| dc.title.alternative | Nonlinear transport in the ferromagnetic/ wide-gap semiconductor/ ferromagnetic nanostructure | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Model of the transport in the tunneling nanostructures ferromagnetic/ wide-gap semiconductor / ferromagnetic based on two-band Franz-Kein Model and phase function method was developed. Current-Voltage characteristics and tunneling magnetoresistance (TMR) considering the additional transport channel through the valence band of the wide-gap semiconductor were calculated. Shown, if Fermi level EP is lower than the middle of the band gap of the wide-band semiconductor, depending on the external bias and tunneling current regions of the negative differential resistance (NDR) appear. It is found out, TMR of the main channel goes down monotonously, at the same time TMR of the additional channel oscillates with the external bias growth, correlating with the Current-Voltage characteristics. Availability of the NDR leads to the TMR increasing, which is important for the practical application. | en_US |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2025
|
