| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Титович, А. Н. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-04-17T07:35:39Z | - |
| dc.date.available | 2025-04-17T07:35:39Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Титович, А. Н. Анализ электромагнитной восприимчивости полупроводниковых приборов и интегральных микросхем = Analysis of electromagnetic susceptibility of semiconductor devices and integrated microcircuits / Н. А. Титович // Технические средства защиты информации : материалы ХXIII Международной научно-технической конференции, Минск, 08 апреля 2025 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2025. – С. 316–321. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59548 | - |
| dc.description.abstract | Проведены экспериментальные исследования и расчеты влияния ВЧ и СВЧ электромагнитных помех на характеристики и параметры p-n-перехода и биполярного транзистора (БТ). Разработанные точные модели воздействия электромагнитных помех на простейшие полупроводниковые приборы (1111) позволяют значительно снизить затраты по оценке восприимчивости более сложных интегральных схем (ИС) и электронных устройств. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
| dc.subject | интегральные схемы | en_US |
| dc.subject | электромагнитные помехи | en_US |
| dc.title | Анализ электромагнитной восприимчивости полупроводниковых приборов и интегральных микросхем | en_US |
| dc.title.alternative | Analysis of electromagnetic susceptibility of semiconductor devices and integrated microcircuits | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Experimental studies and calculations of the influence of high-frequency and microwave electromagnetic interference on the characteristics and parameters of the p-n junction and bipolar transistor (BT) were conducted. The developed accurate models of the impact of electromagnetic interference on the simplest semiconductor devices (SD) allow to significantly reduce the costs of assessing the susceptibility of more complex integrated circuits (IC) and electronic devices. | en_US |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2025
|
