| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лазарук, С. К. | - |
| dc.contributor.author | Лешок, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Долбик, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Томашевич, Л. П. | - |
| dc.contributor.author | Клюцкий, А. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Дудич, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Ефименко, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Кицюк, Е. П. | - |
| dc.contributor.author | Рязанов, Р. М. | - |
| dc.contributor.author | Басаев, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Светухин, В. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-05-05T12:05:52Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-05T12:05:52Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для СВЧ-диапазона частот = Avalanche LEDs based on nanostructured silicon for microwave frequency range / С. К. Лазарук, А. А. Лешок, А. В. Долбик [и др.] // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 2. – С. 5–11. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59726 | - |
| dc.description.abstract | Для развития кремниевой фотоники необходима разработка эффективного источника светового сигнала. В качестве такого источника могут использоваться лавинные кремниевые светодиоды. В статье
рассмотрены лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния. Измерение емкости светодиодных структур показало, что при уменьшении площади светодиодов до 100 мкм2
суммарная емкость
светодиода и металлической разводки уменьшается до сотен фемтофарад, что обеспечивает лавинным
светодиодам функционирование в СВЧ-диапазоне. Показано, что увеличение быстродействия лавинных
светодиодов ограничено резистивно-емкостными задержками, зависящими от барьерной емкости диодных
структур. Рассмотрены способы увеличения быстродействия лавинных светодиодов как в сверхвысоком
частотном диапазоне, так и в гипервысоком диапазоне частот. В частности, при уменьшении рабочей площади светодиодов до 1 мкм2
прогнозируется их функционирование во всем гигагерцовом диапазоне частот. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | светодиоды | en_US |
| dc.subject | лавинный эффект | en_US |
| dc.subject | нанокремний | en_US |
| dc.title | Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для СВЧ-диапазона частот | en_US |
| dc.title.alternative | Avalanche LEDs based on nanostructured silicon for microwave frequency range | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-2-5-11 | - |
| local.description.annotation | Development of an efficient light signal source is a basic necessity for the development of silicon
photonics. Avalanche silicon light emitting diodes (LEDs) can serve as such a source. The article discusses avalanche LEDs based on nanostructured silicon. Measurement of the capacitance of LED structures has shown
that when the LED area is reduced to 100 μm2, the total capacitance of the LED and metal wiring is reduced
to hundreds of femtofarads, which ensures the functioning of avalanche LEDs in the microwave range. It is shown
that the increase in the speed of avalanche LEDs is limited by resistive-capacitive delays, depending on the barrier
capacitance of the diode structures. Methods for increasing the speed of avalanche LEDs in both the ultra-high frequency range and the hyper-high frequency range are considered. In particular, by reducing the working area
of LEDs to 1 µm2, they are predicted to function over the entire gigahertz frequency range. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 23, № 2
|
