| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Герасимчук, С. Н. | - |
| dc.contributor.author | Афанасьев, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Сухоцкий, М. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-06-04T08:19:31Z | - |
| dc.date.available | 2025-06-04T08:19:31Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Герасимчук, С. Н. Технология атомно-слоевого осаждения для создания наноструктур = Atomic layer deposition technology for nanostructure fabrication / С. Н. Герасимчук, А. А. Афанасьев, М. С. Сухоцкий // Электронные системы и технологии : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 21–25 апреля 2025 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2025. – С. 300–302. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59980 | - |
| dc.description.abstract | . В работе представлен комплексный анализ технологии атомно-слоевого
осаждения (ALD) с акцентом на осаждение оксида алюминия. На основании обобщения
литературных данных рассмотрены принципы метода, оптимальные параметры процесса
(температура 200±2°C, скорость роста 0,11±0,01 нм/цикл), а также его уникальные
возможности по созданию конформных покрытий на структурах с соотношением
сторон> 50:1. Особое внимание уделено применению ALD в микроэлектронике,
энергетике и катализе. Систематизированы перспективные направления развития
технологии, включая создание многослойных структур и интеграцию с другими
нанотехнологическими методами. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | атомно-слоевое осаждение | en_US |
| dc.subject | наноструктуры | en_US |
| dc.subject | тонкие пленки | en_US |
| dc.title | Технология атомно-слоевого осаждения для создания наноструктур | en_US |
| dc.title.alternative | Atomic layer deposition technology for nanostructure fabrication | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The paper presents a comprehensive analysis of atomic layer deposition (ALD)
technology with an emphasis on aluminum oxide deposition. Based on a summary of literature
data, the principles of the method, optimal process parameters (temperature 200±2°C, growth
rate 0.11±0.01 nm/cycle), and its unique capabilities for creating conformal coatings on
structures with an aspect ratio of >50:1 are considered. Particular attention is paid to the use of
ALD in microelectronics, power engineering, and catalysis. Promising areas of technology
development are systematized, including the creation of multilayer structures and integration
with other nanotechnological methods. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 61-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025)
|
