| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Русак, И. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-06-12T06:09:04Z | - |
| dc.date.available | 2025-06-12T06:09:04Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Русак, И. В. Определение по экспериментальным данным законов распределения информативных параметров биполярных транзисторов = Determination of the laws of distribution of informative parameters of bipolar transistors based on experimental datas / И. В. Русак // Электронные системы и технологии : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 21–25 апреля 2025 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2025. – С. 162–164. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60155 | - |
| dc.description.abstract | Для достоверного определения эффективности моделей прогнозирования класса надёжности полупроводниковых приборов для заданной наработки необходим обучающий эксперимент с большим количеством экземпляров класса надёжных и класса потенциально ненадёжных экземпляров, что может быть обеспечено методом статистического моделирования. Для проведения моделирования необходимо располагать моделями законов распределения информативных параметров отдельно в классах надёжности. На примере биполярных транзисторов КТ872А, используя экспериментальные данные обучающего эксперимента, исследованы законы распределения информативных параметров отдельно для каждого класса и установлено, что в начальный момент времени параметры неплохо описываются смещёнными трёхпараметрическими распределениями Вейбулла. По экспериментальным данным для этих распределений определены характеристики, необходимые для выполнения моделирования. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
| dc.subject | статистическое моделирование | en_US |
| dc.subject | распределение Вейбулла | en_US |
| dc.title | Определение по экспериментальным данным законов распределения информативных параметров биполярных транзисторов | en_US |
| dc.title.alternative | Determination of the laws of distribution of informative parameters of bipolar transistors based on experimental datas | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | To reliably determine the efficiency of the models for predicting the reliability class of semiconductor devices for a given service life, a training experiment with a large number of reliable and potentially unreliable class samples is required, which can be achieved using the statistical modeling method. To perform the modeling, it is necessary to have models of the distribution laws of informative parameters separately in the reliability classes. Using the example of bipolar transistors KT872A, using the experimental data of the training experiment, the distribution laws of informative parameters were studied separately for each class and it was found that at the initial moment of time, the parameters are well described by shifted three-parameter Weibull distributions. According to the
experimental data for these distributions, the characteristics necessary for performing the modeling were determined. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 61-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025)
|
