Исследование влияния очистки кремниевой подложки в атмосферной плазме на отражение тонких пленок хрома

Abstract

Методом магнетронного распыления при постоянном токе были получены тонкие пленки хрома толщиной порядка 20 нм на подложках из кремния КДБ-12. Перед проведением напыления проводилась очистка в атмосферной плазме диэлектрического барьерного разряда. При помощи спектрофотометра МС-122 были получены спектры отражения данных пленок с различным временем предварительной обработки в атмосферной плазме (от 0 до 120 секунд). Установлено, что с увеличением времени предварительной обработки в атмосферной плазме коэффициент отражения напыляемой пленки хрома увеличивается с 46 % для образца без обработки до 51 % для 20,25 и 120 секунд обработки на длине волны 820 нм.