| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Махмутов, Р. Т. | - |
| dc.contributor.author | Гапоненко, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лашковская, Е. И. | - |
| dc.contributor.author | Меледин, К. И. | - |
| dc.contributor.author | Кашко, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Малышев, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Судник, Л. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-08-14T07:56:10Z | - |
| dc.date.available | 2025-08-14T07:56:10Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Электрофизические свойства структур с пленками титаната бария и оксида алюминия, сформированными золь-гель-методом на титане = Electrophysical properties of structures with barium titanate and oxide films formed by the sol-gel method on titanium / Р. Т. Махмутов, Н. В. Гапоненко, Е. И. Лашковская [и др.] // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 3. – С. 12–18. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61389 | - |
| dc.description.abstract | Золь-гель-методом сформированы пленки оксида алюминия и титаната бария на подложках из титана и окисленного монокристаллического кремния. Исследована зависимость емкости и тангенса угла диэлектрических потерь от частоты конденсаторной структуры Al2O3/BaTiO3/Ni в диапазоне 200 Гц–200 кГц на подложке из титана с использованием подложки в качестве нижнего электрода.
В области высоких частот (20–200 кГц) среднеквадратичное отклонение емкости составило 95–97 пФ,
низких частот (0,2–10,0 кГц) – 80–94 пФ. Значения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь сохранялись в пределах установленных значений среднеквадратичного отклонения в течение года. Приведены
примеры изображений микродисков и волноводов, полученных методами фотолитографии и химического
травления структур c пленками Al2O3, SiO2 и BaTiO3 для последующих разработок планарных волноводов
и электрооптических модуляторов. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | золь-гель-метод | en_US |
| dc.subject | конденсаторы | en_US |
| dc.subject | титанат бария | en_US |
| dc.subject | титан | en_US |
| dc.subject | микродиски | en_US |
| dc.subject | волноводы | en_US |
| dc.subject | фотолитография | en_US |
| dc.title | Электрофизические свойства структур с пленками титаната бария и оксида алюминия, сформированными золь-гель-методом на титане | en_US |
| dc.title.alternative | Electrophysical properties of structures with barium titanate and oxide films formed by the sol-gel method on titanium | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-3-12-18 | - |
| local.description.annotation | Aluminum oxide and barium titanate films were formed on titanium and oxidized single-crystal silicon
substrates using the sol-gel method. The dependence of the capacitance and the dielectric loss tangent on the frequency
of the Al2O3/BaTiO3/Ni capacitor structure was studied in the range of 200 Hz–200 kHz on a titanium
substrate using the substrate as the lower electrode. In the high-frequency region (20–200 kHz), the standard deviation
of the capacitance was 95–97 pF, and in the low-frequency region (0.2–10.0 kHz), it was 80–94 pF. The capacitance
and dielectric loss tangent values remained within the established standard deviation values for a year.
Examples
of images of microdisks and waveguides obtained by photolithography and chemical etching of struc | en_US |
| Appears in Collections: | Том 23, № 3
|
