| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Туровец, У. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-08-18T06:34:08Z | - |
| dc.date.available | 2025-08-18T06:34:08Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Туровец, У. Е. Моделирование оптических процессов в тонкопленочном ИК-светодиоде на основе коллоидных квантовых точек PbS = Modeling of optical processes in thin-film IR light-emitting diode based on colloidal PbS quantum dots / У. Е. Туровец // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 3. – С. 19–25. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61400 | - |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование оптических процессов в структуре тонкопленочного ИК-светодиода
методом конечной разности во временной области. Исследованы такие параметры, как пропускание,
эффективность распространения электромагнитных волн в диапазоне 1,2–1,4 мкм. Смоделировано контрольное
устройство со слоем оксида индия-олова (ITO) в качестве прозрачного проводящего электрода.
Рассмотрена замена слоя ITO на слой оксида олова, легированного фтором (FTO). Установлено, что при такой замене коэффициент пропускания при прохождении ИК-излучением функциональных слоев FTO увеличивается до 70 %, а угловое распределение Е2 – на 10° в сравнении с устройством со слоем ITO. В связи
с чем целесообразно заменять слой прозрачного проводящего электрода ITO на слой FTO. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.subject | метод конечной разности во временной области | en_US |
| dc.subject | ИК-светодиоды | en_US |
| dc.subject | напряженность поля | en_US |
| dc.subject | пропускание | en_US |
| dc.subject | эффективность извлечения света | en_US |
| dc.title | Моделирование оптических процессов в тонкопленочном ИК-светодиоде на основе коллоидных квантовых точек PbS | en_US |
| dc.title.alternative | Modeling of optical processes in thin-film IR light-emitting diode based on colloidal PbS quantum dots | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-3-19-25 | - |
| local.description.annotation | The optical processes in the structure of a thin-film IR LED have been simulated using the finite
difference
method in the time domain. The parameters such as transmission and propagation efficiency
of electromagnetic
waves in the range of 1.2–1.4 μm have been investigated. A control device with an indium
tin oxide (ITO) layer as a transparent conducting electrode has been simulated. The replacement of the ITO layer
with a fluorine-
doped tin oxide (FTO) layer has been considered. It has been found that with such a replacement,
the transmittance of IR radiation passing through the FTO functional layers increases to 70 %, and the angular
distribution of E2 increases by 10° compared to a device with an ITO layer. Thus, it is advisable to replace
the layer of the transparent conducting ITO electrode with the FTO layer. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 23, № 3
|
