| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Цырельчук, И. Н. | - |
| dc.contributor.author | Хорошко, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Гременюк, В. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Иванов, В. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-09-22T06:22:35Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-22T06:22:35Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Электрические свойства тонких пленок полупроводниковых твердых растворов (CuInSe2)x-(2ZnSe)1–x = Electrical properties of thin films of semiconductor solid solutions (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x / И. Н. Цырельчук [и др.] // Доклады БГУИР. – 2013. – № 8 (78). – С. 95–100. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61587 | - |
| dc.description.abstract | Проведено исследование зависимостей удельного сопротивления и термоэдс пленок
Cu(In,Zn)Se2 от элементного состава и температуры. Температурные зависимости
удельного сопротивления были измерены в температурном интервале Т = 80…420 К.
Термоэлектрические свойства пленок исследовались при комнатной температуре с
разницей температур между «горячим» и «холодным» концами зондов ∆Т = 30 К.
Исследованы зависимости удельного сопротивления и коэффициентов термоэдс пленок от
концентрации атомов Zn и взаимосвязь между коэффициентом термоэдс пленок и их
удельным сопротивлением. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | тонкие пленки | en_US |
| dc.subject | температурные зависимости | en_US |
| dc.subject | термоЭДС пленки | en_US |
| dc.title | Электрические свойства тонких пленок полупроводниковых твердых растворов (CuInSe2)x-(2ZnSe)1–x | en_US |
| dc.title.alternative | Electrical properties of thin films of semiconductor solid solutions (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x | en_US |
| local.description.annotation | Dependences of resistivity and thermal e.m.f. of the Cu(In,Zn)Se2 films on the phase
composition and temperature were studied. The temperature dependence of the resistivity in the
temperature range of T = 80…420 K were measured. The dependence of films resistivity and their
thermal e.m.f. coefficient on the concentration of Zn atoms and the correlation between films thermal
e.m.f. coefficient and their resistivity were investigated. | en_US |
| Appears in Collections: | №8 (78)
|
