| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. A. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-10-31T06:19:59Z | - |
| dc.date.available | 2025-10-31T06:19:59Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Абрамов, И. И. Моделирование перспективных приборов наноэлектроники. Часть 1. Модели = Simulation of Perspective Devices of Nanoelectronics. Part 1. Models / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. A. Лабунов // Нано- и микросистемная техника. – 2025. – Т. 27, № 4. – С. 167–172. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61910 | - |
| dc.description.abstract | Предложены модели перспективных приборов на основе 2D-материалов, а именно: квантовая диффузионно-дрейфовая модель полевого транзистора на двухслойном графене, модель резонансно-туннельных структур на основе 2D-материалов с вертикальным транспортом и модель резонансно-туннельных диодов, содержащих GaN, с вертикальным транспортом. С использованием моделей проведены исследования электрических характеристик приборных структур, включающих одно- и двухслойный графен, диоксид молибдена, карбид кремния, диселенид вольфрама, нитрид галлия. В части I рассмотрены предложенные модели. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Новые технологии | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | транзисторы | en_US |
| dc.subject | графены | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.subject | 2d-материалы | en_US |
| dc.title | Моделирование перспективных приборов наноэлектроники. Модели | en_US |
| dc.title.alternative | Simulation of Perspective Devices of Nanoelectronics. Models | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | 10.17587/nmst.27.167-172 | - |
| local.description.annotation | In the paper models of perspective devices based on 2D-materials such as a quantum drift-diffusion model of field-effect tran- sistors on bilayer graphene, model of resonant tunneling structures based on 2D-materials with vertical transport and model of resonant tunneling diodes including GaN with vertical transport were proposed. Investigations of IV-characteristics of devise structures including mono- and bilayer graphene, molybdenum dioxide, carbon silicide, wolfram diselenide, gallium nitride were carried out with the using of proposed models. In the part I the proposed models have been considered. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
