| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. A. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-10-31T06:27:24Z | - |
| dc.date.available | 2025-10-31T06:27:24Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Абрамов, И. И. Моделирование перспективных приборов наноэлектроники. Часть 2. Результаты моделирования = Simulation of Perspective Devices of Nanoelectronics. Part 2. Simulation Results / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. A. Лабунов // Нано- и микросистемная техника. – 2025. – Т. 27, № 5. – С. 215–222. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61911 | - |
| dc.description.abstract | Предложены модели перспективных приборов на основе 2D-материалов, а именно: квантовая диффузионно-дрейфовая модель полевого транзистора на двухслойном графене, модель резонансно-туннельных структур (РТС) на основе 2D-материалов с вертикальным транспортом и модель резонансно-туннельных диодов (РТД), содержащих GaN, с вертикальным транспортом. С использованием моделей проведены исследования электрических характеристик приборных структур, включающих одно- и двухслойный графен, диоксид молибдена, карбид кремния, диселенид вольфрама, нитрид галлия. В части II рассмотрены результаты моделирования на основе предложенных моделей. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Новые технологии | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.subject | транзисторы | en_US |
| dc.subject | графены | en_US |
| dc.subject | 2d-материалы | en_US |
| dc.title | Моделирование перспективных приборов наноэлектроники. Результаты моделирования | en_US |
| dc.title.alternative | Simulation of Perspective Devices of Nanoelectronics. Simulation Results | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | 10.17587/nmst.27.215-222 | - |
| local.description.annotation | In the paper models of perspective devices based on 2D-materials such as a quantum drift-diffusion model of field-effect transistors on bilayer graphene, model of resonant tunneling structures based on 2D-materials with vertical transport and model of resonant tunneling diodes including GaN with vertical transport were proposed. Investigations of IV-characteristics of devise structures including mono- and bilayer graphene, molybdenum dioxide, carbon silicide, wolfram diselenide, gallium nitride were carried out with the using of proposed models. In the part II simulation results based on the proposed models have been considered. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
