https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61940| Title: | Расчет вольт-амперных характеристик двухбарьерных резонансно-туннельных гетероструктур на основе MoS2/WSe2 с вертикальным транспортом |
| Authors: | Абрамов, И. И. Коломейцева, Н. В. Ермак, В. О. |
| Keywords: | публикации ученых;моделирование;наноэлектроника;двумерные материалы |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Севастопольский государственный университет |
| Citation: | Абрамов, И. И. Расчет вольт-амперных характеристик двухбарьерных резонансно-туннельных гетероструктур на основе MoS2/WSe2 с вертикальным транспортом / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. О. Ермак // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии = Microwave and Telecommunication Technology : материалы 35-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 7–13 сентября 2025 г. / Севастопольский государственный университет [и др.]. – Севастополь, 2025. – Вып. 7. – С. 158–159. |
| Abstract: | В работе представлена комбинированная модель, основанная на решении уравнений Шредингера и Пуассона и предназначенная для моделирования резонансно-туннельных гетероструктур на основе 2D-материалов. С ее помощью показано влияние количества слоев активной области приборной структуры, представляющей собой потенциальные барьеры с расположенной между ними квантовой ямой, на вольт-амперные характеристики (ВАХ) двухбарьерной гетероструктуры на основе MoS2/WSe2 с вертикальным транспортом. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61940 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_Raschet.pdf | 932.98 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.