https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61941| Title: | Теоретическое исследование выходных характеристик полевых транзисторов на основе двухслойного графена |
| Authors: | Абрамов, И. И. Коломейцева, Н. В. Лабунов, В. А. |
| Keywords: | публикации ученых;наноэлектроника;моделирование;полевые транзисторы;графены |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Севастопольский государственный университет |
| Citation: | Абрамов, И. И. Теоретическое исследование выходных характеристик полевых транзисторов на основе двухслойного графена / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. А. Лабунов // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии = Microwave and Telecommunication Technology : материалы 35-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 7–13 сентября 2025 г. / Севастопольский государственный университет [и др.]. – Севастополь, 2025. – Вып. 7. – С. 150–151. |
| Abstract: | В работе с использованием предложенной квантовой диффузионно-дрейфовой модели полевого транзистора (ПТ) на двухслойном графене (ДГ) проведено моделирование выходных вольт-амперных характеристик исследуемого прибора. Показано влияние различных параметров на характеристики приборов. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61941 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_Teoreticheskoe.pdf | 836.07 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.