| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Ермак, В. О. | - |
| dc.coverage.spatial | Севастополь | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-11-11T07:35:24Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-11T07:35:24Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Абрамов, И. И. Компьютерное моделирование вертикальных резонансно-туннельных гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. О. Ермак // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2025) = Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo’2025) : материалы 35-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 7–13 сентября 2025 г. / Севастопольский государственный университет [и др.] ; редкол.: А. Е. Вольвач, Ю. П. Михайлюк, А. А. Савочкин. – Севастополь, 2025. – Вып. 7. – С. 160–161. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61942 | - |
| dc.description.abstract | В статье рассмотрено теоретическое исследование характеристик гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен с вертикальным транспортом, полученных с использованием комбинированной модели, модифицированной на случай вертикального транспорта. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Севастопольский государственный университет | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | моделирование | en_US |
| dc.subject | наноэлектроника | en_US |
| dc.subject | двумерные материалы | en_US |
| dc.title | Компьютерное моделирование вертикальных резонансно-туннельных гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
