| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Хорошко, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Осмоловская, Т. Н. | - |
| dc.contributor.author | Пугач, Н. Г. | - |
| dc.contributor.author | Дорошкевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Радюш, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Кузьмар, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Лоско, Е. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-11-14T06:53:41Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-14T06:53:41Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Полупроводниковые твердые растворЫ Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: синтез, структурные свойства, диаграмма состояния = Semiconductor solid solutions Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: synthesis, structural properties, state diagram / В. В. Хорошко, Т. Н. Осмоловская, А. В. Станчик [и др.] // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 5. – С. 27–34. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61972 | - |
| dc.description.abstract | В статье представлены результаты получения крупноблочных поликристаллов системы полупроводниковых твердых растворов Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4, образующихся во всем диапазоне концентраций. Установлено, что как соединения Cu2FeSnS4, Cu2FeSnSe4, так и твердые растворы имеют тетрагональную структуру станнита I4̅2m с соотношением параметров элементарной ячейки с/а ∼ 2. Параметры элементарной ячейки изменялись линейно в соответствии с законом Вегарда – от a = (5,704 ± 0,005) Å и с = (11,26 ± 0,01) Å для Cu2FeSnSe4 до a = (5,441 ± 0,005) Å и с = (10,72 ± 0,01) Å для Cu2FeSnS4. Установлены зависимости рентгеновской плотности и температуры Дебая. По результатам дифференциального термического анализа определены температуры плавления образцов, построена диаграмма состояния системы. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | магнитные полупроводники | en_US |
| dc.subject | кристаллические структуры | en_US |
| dc.subject | станнит | en_US |
| dc.title | Полупроводниковые твердые растворЫ Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: синтез, структурные свойства, диаграмма состояния | en_US |
| dc.title.alternative | Semiconductor solid solutions Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: synthesis, structural properties, state diagram | en_US |
| dc.identifier.DOI | 10.35596/1729-7648-2025-23-5-27-34 | - |
| local.description.annotation | The article presents the results of obtaining large-block polycrystals of the semiconductor solid solution system Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4, formed in the entire concentration range. It was found that both the compounds Cu2FeSnS4, Cu2FeSnSe4 and the solid solutions have a tetragonal stannite structure I4̅2m with a ratio of the unit cell parameters с/а ∼ 2. The unit cell parameters varied linearly in accordance with Vegard’s law – from a = (5.704 ± 0.005) Å and c = (11.261 ± 0.01) Å for Cu2FeSnSe4 to a = (5.441 ± 0.005) Å and c = (10.72 ± 0.01) Å for Cu2FeSnS4. The dependences of the X-ray density and the Debye temperature were determined. Based on the results of differential thermal analysis, the melting temperatures of the samples were determined and a system phase diagram was constructed. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 23, № 5
|
