| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Цаладонов, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Ревенько, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Биран, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Короткевич, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Новиков, П. Э. | - |
| dc.contributor.author | Корсак, К. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-11-14T07:42:32Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-14T07:42:32Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Вертикальные токопроводящие переходы в диэлектрических подложках на основе анодного оксида алюминия = Vertical conductive transitions in dielectric substrates based on anodic aluminum oxide / А. Д. Цаладонов, Д. В. Ревенько, С. А. Биран [и др.] // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 5. – С. 5–11. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61975 | - |
| dc.description.abstract | Развитие технологий 2,5D- и 3D-интеграций кристаллов предъявляет к корпусам изделий микроэлектроники повышенные требования. Для изготовления корпусов перспективным материалом является анодный оксид алюминия, который позволяет формировать межслойные вертикальные электрические
соединения различных слоев без дополнительных операций создания отверстий в межслойной изоляции.
Это дает возможность получать на поверхности последующие слои с хорошей планаризацией. В статье
рассмотрен способ изготовления подложек из пористого анодного оксида алюминия с изолированными
токопроводящими площадками с помощью сквозного локального анодирования алюминия. Приведена методика исследования изоляционных свойств полученных диэлектрических подложек с различными способами улучшения качества изоляции токопроводящих каналов. Представлены результаты исследования
токов утечки изолированных токопроводящих каналов в зависимости от приложенного напряжения. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | наноструктурированные материалы | en_US |
| dc.subject | микроэлектронные изделия | en_US |
| dc.subject | токопроводящие площадки | en_US |
| dc.title | Вертикальные токопроводящие переходы в диэлектрических подложках на основе анодного оксида алюминия | en_US |
| dc.title.alternative | Vertical conductive transitions in dielectric substrates based on anodic aluminum oxide | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-5-5-11 | - |
| local.description.annotation | The development of 2.5D and 3D crystal integration technologies imposes increased requirements
on the housings of microelectronic products. A promising material for the manufacture of housings is anodic
aluminum oxide, which allows the formation of interlayer vertical electrical connections of different layers without
additional operations of creating holes in the interlayer insulation. This makes it possible to obtain subsequent
layers on the surface with good planarization. The article considers a method for manufacturing substrates
from porous anodic aluminum oxide with insulated conductive pads using through local anodizing of aluminum.
A methodology for studying the insulating properties of the obtained dielectric substrates with various methods
for improving the quality of insulation of conductive channels is presented. The results of a study of leakage currents of isolated conductive channels depending on the applied voltage are presented. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 23, № 5
|
