| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Трухин, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Калиновский, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Мустафин, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Контрош, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Fan, X. | - |
| dc.contributor.author | Прудченко, К. К. | - |
| dc.coverage.spatial | Санкт-Петербург | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-12-01T06:37:52Z | - |
| dc.date.available | 2025-12-01T06:37:52Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | О механизмах ТГц генерации в гетероструктурном p-i-n диоде AlxGa1-xAs/GaAs / В. Н. Трухин, В. Л. Малевич, В. С. Калиновский [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП) : тезисы докладов, Санкт-Петербург, 7–11 октября 2024 / Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе [и др.]. – Санкт-Петербург : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – С. 278 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62188 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты экспериментального исследования и моделирования методом Монте-Карло процесса генерации терагерцового излучения гетероструктурными p-i-n диодами AlxGa1-xAs/GaAs при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. Процесс терагерцовой
генерации изучался методом терагерцовой спектроскопии с временным разрешением. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | терагерцовое излучение | en_US |
| dc.subject | p-i-n диоды | en_US |
| dc.subject | импульс фототока | en_US |
| dc.subject | экранирование | en_US |
| dc.subject | баллистический перенос электронов | en_US |
| dc.title | О механизмах ТГц генерации в гетероструктурном p-i-n диоде AlxGa1-xAs/GaAs | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
