| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Трухин, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Калиновский, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Мустафин, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Fan, X. | - |
| dc.contributor.author | Контрош, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Прудченко, К. К. | - |
| dc.coverage.spatial | Нижний Новгород | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-12-01T06:52:08Z | - |
| dc.date.available | 2025-12-01T06:52:08Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | «Velocity overshoot» и ТГц-генерация в гетероструктурном AlxGa1-xAs/GaAs p-i-n диоде / В. Н. Трухин, В. Л. Малевич, В. С. Калиновский [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум : тезисы докладов, Нижний Новгород, 10-14 марта, 2025 / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации [и др.]. – Нижний Новгород, 2025. – С. 408. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62189 | - |
| dc.description.abstract | В докладе представлены результаты экспериментального и теоретического исследования на основе аналитической модели процесса генерации терагерцового излучения гетеро-структурными AlxGa1-xAs/GaAs p-i-n диодами при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. Проводилось также численное моделирование терагерцовой генерации методом Монте Карло. Получено хорошее согласие результатов моделирования с экспериментальными данным. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | терагерцовое излучение | en_US |
| dc.subject | p-i-n диоды | en_US |
| dc.subject | импульс фототока | en_US |
| dc.subject | экранирование | en_US |
| dc.subject | эффект всплеска баллистический скорости электронов | en_US |
| dc.title | «Velocity overshoot» и ТГц-генерация в гетероструктурном AlxGa1-xAs/GaAs p-i-n диоде | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
