| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Volcheck, V. S. | - |
| dc.contributor.author | Lovshenko, I. Yu. | - |
| dc.contributor.author | Yunik, A. D. | - |
| dc.contributor.author | Hulikava, K. A. | - |
| dc.contributor.author | Solovijov, J. A. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-01-08T08:46:53Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-08T08:46:53Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Effect of silicon nitride and silicon dioxide passivation films on the performance of off-state field-plated AlGaN/GaN HEMT = Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии / V. S. Volcheck, I. Yu. Lovshenko, A. D. Yunik [et al.] // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 6. – С. 5–11. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62642 | - |
| dc.description.abstract | The effect of Si3N4 and SiO2 passivation films on the off-state breakdown performance
of the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor with a source- or gate-connected field plate was investigated using TCAD simulations. It was discovered that the breakdown voltage of the field-plated device structure
passivated by SiO2 is noticeably higher compared to Si3N4, which contrasts with the results usually observed
for transistors without field plates. It was also determined that the intrinsic stress in Si3N4 passivation films of certain thickness (250–300 nm) exerts a significant influence on the breakdown characteristics, with tensile-stressed
layers allowing to increase the breakdown voltage. Finally, the device structure with a combined Si3N4/SiO2 passivation stack and a gate field plate was analyzed. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | breakdown | en_US |
| dc.subject | heterostructure | en_US |
| dc.subject | impact ionization | en_US |
| dc.title | Effect of silicon nitride and silicon dioxide passivation films on the performance of off-state field-plated AlGaN/GaN HEMT | en_US |
| dc.title.alternative | Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-6-5-11 | - |
| local.description.annotation | В статье представлены результаты исследования в рамках компьютерного моделирования
влияния пассивационных слоев на основе Si3N4 и SiO2 на напряжение пробоя в закрытом состоянии транзистора с высокой подвижностью электронов на основе AlGaN/AlN/GaN с полевыми обкладками, подключенными к истоку или затвору. Выяснено, что напряжение пробоя приборной структуры с полевой
обкладкой при использовании пассивационного слоя на основе SiO2 заметно выше, чем при использовании Si3N4, что контрастирует с результатами, обычно получаемыми для транзисторов без полевых обкладок. Также обнаружено, что внутренние механические напряжения в пассивационных слоях на основе Si3N4 определенной толщины (250–300 нм) оказывают существенное влияние на пробивные характеристики, и применение слоев, имеющих механические напряжения на растяжение, может приводить к повышению напряжения пробоя. Проведен анализ характеристик приборной структуры с двойной пассивацией
на основе Si3N4/SiO2 и полевой обкладкой, подключенной к затвору | en_US |
| Appears in Collections: | Том 23, № 6
|
