| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Подрябинкин, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Фам, В. Т. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-02-04T06:37:42Z | - |
| dc.date.available | 2026-02-04T06:37:42Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Подрябинкин, Д. А. Роль зернистости и межслойных границ в переключении RRAM-элементов / Д. А. Подрябинкин, В. Т. Фам // Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах 2025 : сборник научных статей XV Международной научной конференции, Минск, 22–25 сентебря 2025 г. / Национальная академия наук Беларуси, Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова ; редкол.: О. Г. Пенязьков [и др.]. – Минск, 2025. – С. 260–265. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62903 | - |
| dc.description.abstract | В работе рассмотрены особенности функционирования наноструктур резистивной памяти на основе оксидов различных, в том числе переходных, металлов, включая механизмы резистивного переключения, влияние микроструктуры пленок и результаты численного моделирования. Показано, что эффективность работы мемристорных устройств напрямую зависит от микроструктурных параметров – количества слоев и плотности зерен. Увеличение числа слоев и зерен в слое приводит к переходу от нелинейного мемристорного поведения к омической проводимости, что ограничивает возможность применения таких структур в качестве энергонезависимой памяти. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | резистивная память | en_US |
| dc.subject | наноструктуры | en_US |
| dc.subject | численное моделирование | en_US |
| dc.subject | оксиды металлов | en_US |
| dc.title | Роль зернистости и межслойных границ в переключении RRAM-элементов | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
