Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62936
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБондаренко, А. В.-
dc.contributor.authorДаулетбекова, А. К.-
dc.contributor.authorБурко, А. А.-
dc.contributor.authorЛапутько, Д. Д.-
dc.contributor.authorШапель, А. А.-
dc.contributor.authorКошкарова, В. М.-
dc.contributor.authorАкилбеков, А. Т.-
dc.contributor.authorДжунисбекова, Д. А.-
dc.contributor.authorАбдрахметова, А. А.-
dc.contributor.authorБаймуханов, З. К.-
dc.coverage.spatialРеспублика Казахстан, обл. Абай, г. Курчатовen_US
dc.date.accessioned2026-02-09T06:17:17Z-
dc.date.available2026-02-09T06:17:17Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationХимическое контактно-обменное осаждение меди на пористый кремний для формирования нанокомпозитных плёнок = Нанокомпозиттік қабықшаларды қалыптастыру үшін кеуекті кремнийге мысты химиялық байланыс-алмасу арқылы тұндыру = Chemical contact-exchange deposition of copper on porous silicon to form nanocomposite films / А. В. Бондаренко, А. К. Даулетбекова, А. А. Бурко [и др.] // Вестник НЯЦ РК. – № 3 (103). – 2025. – С. 25–36.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62936-
dc.description.abstractИсследованы закономерности химического контактно-обменного осаждения тонких плёнок меди на пористый кремний. Для осаждения меди использованы водные и водно-спиртовые растворы сернокислой меди с добавками фтористоводородной кислоты. Определено оптимальное соотношение концентраций компонентов раствора, позволяющее контролировать кинетику процесса осаждения и получать блестящие плёнки меди с хорошей адгезией к кремниевой подложке. Установлено, что на пористый кремний медь осаждается в виде плёнки, состоящей из зёрен микро- и нанометрового размера. Плотность упаковки и размер зёрен меди определяются как временем осаждения, так и диаметром пор пористого кремния. Показано, что при пористости до 10% зарождение медных зёрен происходит только на вершинах кремниевых нанокристаллитов матрицы пористого кремния. Увеличение пористости приводит к одновременному зарождению зёрен меди на внутренней поверхности каналов пор и вершинах кремниевых нанокристаллитов. Зарегистрированы спектры отражения нанокомпозитных пленок. Установлено, что максимальная интенсивность полосы поглощения, обусловленная поверхностным плазмонным резонансом, характерна для плёнки, осаждённой в течение 5 минут из спиртосодержащего раствора на пористый кремний, который сформирован на пластине КЭС-0,01 (111). Таким образом, варьируя размерами пор пористого слоя и условиями осаждения, можно изготавливать различные типы тонкопленочных нанокомпозитных структур из кремния и меди, перспективные для применения в качестве функциональных наноматериалов электроники и фотоники.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherНациональный ядерный центрen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectпористый кремнийen_US
dc.subjectхимическое контактно-обменное осаждениеen_US
dc.subjectнаночастицы медиen_US
dc.subjectповерхностный плазмонный резонансen_US
dc.subjectнанокомпозитные плёнкиen_US
dc.titleХимическое контактно-обменное осаждение меди на пористый кремний для формирования нанокомпозитных плёнокen_US
dc.title.alternativeНанокомпозиттік қабықшаларды қалыптастыру үшін кеуекті кремнийге мысты химиялық байланыс-алмасу арқылы тұндыруen_US
dc.title.alternativeChemical contact-exchange deposition of copper on porous silicon to form nanocomposite filmsen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIhttps://doi.org/10.52676/1729-7885-2025-3-25-36-
local.description.annotationThe regularities of chemical contact-exchange deposition of thin copper films on porous silicon are investigated. Aqueous and aqueous-alcoholic solutions of copper sulfate with hydrofluoric acid additives are used for copper deposition. The optimal ratio of solution component concentrations is determined, which allows controlling the kinetics of the deposition process and obtaining shiny copper films with good adhesion to the silicon substrate. It is established that copper is deposited on porous silicon in the form of a film consisting of micro- and nanometer-sized grains. The packing density and the size of copper grains are determined by both the deposition time and the pore diameter of porous silicon. It is shown that at a porosity of up to 10%, copper grains nucleate only on the vertices of silicon nanocrystallites of the porous silicon matrix. An increase in porosity leads to the simultaneous nucleation of copper grains on the inner surface of the pore channels and the vertices of silicon nanocrystallites. Reflection spectra of nanocomposite films were recorded. It was found that the maximum intensity of the absorption band, caused by surface plasmon resonance, is characteristic of a film deposited for 5 min. from an alcohol-containing solution on porous silicon, which was formed on the silicon wafer of n-type with resistivity 0.01 and orientation (111). Thus, by varying the pore sizes of the porous layer and the deposition conditions, it is possible to manufacture various types of thin-film nanocomposite structures from silicon and copper, promising for use as functional nanomaterials in electronics and photonics.en_US
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bondarenko_Himicheskoe.pdf1.43 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.