Характеристики кристаллической структуры и физические свойства пленочных структур на основе медь содержащих халькогенидных полупроводников для оптоэлектроники : отчет о НИР (заключ.)

Abstract

Исследованы оптические и электрические свойства тонких пленок CuxInxZn2-2xSe2 (получены зависимости удельного сопротивления ρ= 2∙100 – 2∙10+2 и коэффициента термоэдс α= 6–180 мкВ/К от состава тонких пленок на подложках из стекла, методом фотолюминесценции исследованы излучательные свойства пленок и определены природы деффектов в пленках) полученных тонких пленок твердых растворов CuxInxZn2-2xSe2 на подложках из стекла, нержавеющей стали, титана).