Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63258
Title: Влияние фотонного поглощения на рост теплопроводности полупроводниковых структур при ЭМИ
Other Titles: Influence of one-photon absorption factor on thermal conductivity growth of semiconductor structure
Authors: Алексеев, В. Ф.
Журавлёв, В. И.
Keywords: публикации ученых;электромагнитные импульсы;полупроводниковая структура;теплоперенос;фотонное поглощение
Issue Date: 2006
Publisher: СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Citation: Алексеев, В. Ф. Влияние фотонного поглощения на рост теплопроводности полупроводниковых структур при ЭМИ = Influence of one-photon absorption factor on thermal conductivity growth of semiconductor structure / В. Ф. Алексеев, В. И. Журавлёв // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». – 2006. – № 7. – С. 23–29.
Abstract: Рассматриваются условия однофотонного поглощения в полупроводниковых структурах при воздействии электромагнитных импульсов (ЭМИ). Показано изменение фотонного и электронного теплопереноса, обусловленное изменением коэффициента фотонного поглощения при ЭМИ короткой длительности.
Alternative abstract: Conditions of one-photon absorption in semiconductor structure under action of electromag-netic pulses (EMP) are considered. Change photon and electronic thermal transfer, caused by change of photon absorption factor at EMP of short durations is shown.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63258
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Alexseev_Influence.pdf546.69 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.