Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63412
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2026-04-27T11:40:07Z-
dc.date.available2026-04-27T11:40:07Z-
dc.date.issued2026-
dc.identifier.citationМищенко, В. Н. Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и его модификаций в диапазонах СВЧ и КВЧ = Modeling of output characteristics of field-effect transistors using graphene and its modifications in the Microwave and MWR range / В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации : материалы ХXIV Международной научно-технической конференции, Минск, 8 апреля 2026 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2026. – С. 52–56.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63412-
dc.description.abstractГрафен, обладающий высокой подвижностью заряда, которая превышает подвижность носителей заряда для всех известных материалов, рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов. Приведены результаты моделирования выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и его модификаций в диапазонах СВЧ и КВЧ. Моделирование выполнялось с использованием метода Монте Карло, который позволяет исследовать основные выходные характеристики полевых транзисторов, содержащих области графена и модифицированного графена. Полученные в результате моделирования характеристики и параметры полевых транзисторов могут быть использованы для создания новых устройств диапазонов СВЧ и КВЧ, обладающих улучшенными выходными параметрами и характеристиками.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectматериалы конференцийen_US
dc.subjectграфеныen_US
dc.subjectфторen_US
dc.subjectводородen_US
dc.subjectмоделированиеen_US
dc.subjectполевые транзисторыen_US
dc.titleМоделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и его модификаций в диапазонах СВЧ и КВЧen_US
dc.title.alternativeModeling of output characteristics of field-effect transistors using graphene and its modifications in the Microwave and MWR rangeen_US
dc.typeArticleen_US
local.description.annotationGraphene, which possesses high charge carrier mobility and velocity, exceeding that of all known materials, is currently considered one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices. The results of modeling the output characteristics of field-effect transistors using graphene and its modifications in the microwave and millimeter-wave ranges are presented. The modeling was performed using the Monte Carlo method, which allows one to investigate the key output characteristics of field-effect transistors containing graphene and modified graphene regions. The characteristics and parameters of the field-effect transistors obtained from the modeling can be used to create new microwave and millimeter-wave devices with improved output parameters and characteristics.en_US
Appears in Collections:ТСЗИ 2026

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Mishchenko_Modelirovanie.pdf1.5 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.