| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Русак, И. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-04-28T05:58:21Z | - |
| dc.date.available | 2026-04-28T05:58:21Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Русак, И. В. Обучающий эксперимент как основа получения моделей прогнозирования надежности полупроводниковых приборов = Teaching experiment as the basis for obtaining models for predicting the reliability of semiconductor devices / И. В. Русак // Технические средства защиты информации : материалы ХXIV Международной научно-технической конференции, Минск, 8 апреля 2026 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2026. – С. 345–348. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63429 | - |
| dc.description.abstract | Для получения модели индивидуального прогнозирования класса надежности полупроводниковых приборов для заданной наработки по значениям их информативных параметров в начальный момент времени необходимо иметь результаты обучающего эксперимента. Для проведения обучающего эксперимента следует знать информативные параметры полупроводниковых приборов. В качестве приборов были выбраны полевые транзисторы большой мощности типа КП744А. Измерение электрических параметров, предполагаемых на информативность, испытание транзисторов на надежность и дальнейшее определение корреляционной связи параметров с номером класса надежности приборов на момент окончания испытаний, позволили определить три наиболее информативных параметра и сформировать таблицу результатов обучающего эксперимента, используемого для получения модели прогнозирования класса надежности экземпляров для заданной наработки. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | информативные параметры | en_US |
| dc.subject | полевые транзисторы | en_US |
| dc.subject | индивидуальное прогнозирование | en_US |
| dc.subject | корреляционный анализ | en_US |
| dc.title | Обучающий эксперимент как основа получения моделей прогнозирования надежности полупроводниковых приборов | en_US |
| dc.title.alternative | Teaching experiment as the basis for obtaining models for predicting the reliability of semiconductor devices | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | To obtain a model for individually predicting the reliability class of semiconductor devices for a given service life based on the values of their informative parameters at the initial time, it is necessary to have the results of a training experiment. To conduct the training experiment, it is necessary to know the informative parameters of the semiconductor devices. High-power field-effect transistors of the KP744A type were selected as the devices. Measuring the electrical parameters expected to be informative, testing the transistors for reliability, and then determining the correlation between the parameters and the device reliability class number at the end of the tests allowed us to identify the three most informative parameters and generate a table of the training experiment results used to obtain a model for predicting the reliability class of samples for a given service life. | en_US |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2026
|
