| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Иванюта, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Дудич, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Симоненко, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Бердова, Э. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-05-04T08:32:30Z | - |
| dc.date.available | 2026-05-04T08:32:30Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Сравнение мемристорных эффектов в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия / С. М. Иванюта, В. В. Дудич, Д. А. Симоненко, Э. А. Бердова // Физика конденсированного состояния : материалы ХХХIV Международной научно-практической конференции студентов, магистрантов, аспирантов и молодых учёных, Гродно, 23–24 апреля 2026 г. / Гродненский государственный университет имени Янки Купалы ; редкол.: А. С. Воронцов (гл. ред.) [и др.]. – Гродно, 2026. – С. 63–65. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63521 | - |
| dc.description.abstract | Исследуются механизмы резистивного переключения в МДМ-структурах на основе диоксида титана (TiO2) и пента
окcида ниобия (Nb2O5) полученных методом электрохимического анодирования. Рассмотрено влияние морфологии оксид
ных слоёв и материала верхнего электрода на электрофизические характеристики мемристорных ячеек. Экспериментально
подтверждено, что использование электродов с высокой работой выхода (никель) в сочетании с пористой структурой окси
да позволяет достичь коэффициента переключения до 50 и снизить напряжение переключения до 2 В. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Гродненский государственный университет имени Янки Купалы | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | анодные оксиды | en_US |
| dc.subject | МДМ-структуры | en_US |
| dc.subject | электрохимическое анодирование | en_US |
| dc.title | Сравнение мемристорных эффектов в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The article investigates the mechanisms of resistive switching in MDM structures based on titanium dioxide (TiO2) and niobium pentaoxide (Nb2O5) obtained by electrochemical anodizing. The influence of the morphology of the oxide layers and the upper
electrode material on the electrophysical characteristics of memristor cells is considered. It has been experimentally confirmed that
the use of electrodes with high output performance (nickel) in combination with a porous oxide structure makes it possible to achieve
a switching coefficient of up to 50 and reduce the forming voltage to 2 V. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
