| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Демидович, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Михеенко, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Кукуть, Ю. М. | - |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Гродно | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-05-05T07:01:06Z | - |
| dc.date.available | 2026-05-05T07:01:06Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Влияние параметров ICP CVD осаждения диэлектриков на токи утечки в AlGaN/GaN HEMT / С. А. Демидович, А. В. Михеенко, Ю. М. Кукуть, Н. С. Ковальчук // Физика конденсированного состояния : материалы ХХХIV Международной научно-практической конференции студентов, магистрантов, аспирантов и молодых учёных, Гродно, 23–24 апреля 2026 г. / Гродненский государственный университет имени Янки Купалы ; редкол.: А. С. Воронцов (гл. ред.) [и др.]. – 2026. – С. 46–47. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63551 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние ICP CVD режимов на пассивацию гетероструктуры AlGaN/GaN. Кислородная обработка создает
оксидный слой, снижая токи утечки. Ключевым результатом является разработка комбинированного подхода: предварительная
модификация поверхности AlGaN кислородной плазмой с последующим осаждением SiON в мягком режиме ICP CVD. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Гродненский государственный университет имени Янки Купалы | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | транзисторы с высокой подвижностью электронов | en_US |
| dc.subject | СВЧ-электроника | en_US |
| dc.subject | 2DEG | en_US |
| dc.subject | HEMT | en_US |
| dc.subject | ICP CVD | en_US |
| dc.title | Влияние параметров ICP CVD осаждения диэлектриков на токи утечки в AlGaN/GaN HEMT | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The influence of ICP CVD regimes on the passivation of the AlGaN/GaN heterostructure has been investigated. Oxygen
treatment creates an oxide layer, reducing leakage currents. The key result is the development of a combined approach: preliminary
modification of the AlGaN surface with oxygen plasma followed by the deposition of SiON in a low-damage ICP CVD regime. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
