| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коваленко, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Буневич, М. А. | - |
| dc.contributor.author | Горбачёв, Д. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Гродно | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-05-05T09:19:21Z | - |
| dc.date.available | 2026-05-05T09:19:21Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Коваленко, Д. А. Зарядоперенос в выпрямляющих полупроводниковых оксидных структурах с пентаоксидом ниобия / Д. А. Коваленко, М. А. Буневич, Д. В. Горбачёв // Физика конденсированного состояния : материалы ХХХIV Международной научно-практической конференции студентов, магистрантов, аспирантов и молодых учёных, Гродно, 23–24 апреля 2026 г. / Гродненский государственный университет имени Янки Купалы ; редкол.: А. С. Воронцов (гл. ред.) [и др.]. – Гродно, 2026. – С. 83–85. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63565 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы ВАХ и механизмы переноса заряда в структурах Al/Nb2O5 /n+-Si. По результатам анализа ВАХ при температурах
35-55 °С установлено, что проводимость в слабых полях подчиняется закону Ома, а в средних полях доминируют
токи, ограниченные пространственным зарядом. Закономерность изменения ВАХ с температурой подтверждает наличие
локализованных состояний в виде ловушек электронов в запрещенной зоне пентаоксида ниобия. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Гродненский государственный университет имени Янки Купалы | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | вольт-амперные характеристики | en_US |
| dc.subject | Al/Nb2O5 /n+-Si | en_US |
| dc.subject | электронные компоненты | en_US |
| dc.title | Зарядоперенос в выпрямляющих полупроводниковых оксидных структурах с пентаоксидом ниобия | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Charge transfer mechanisms in Al/Nb20 5/n+-Si structures have been studied. I-V analysis at 35-55°C shows Ohmic conduction
at low fields and space-charge-limited currents (SCLC) at medium fields. The temperature dependence confirms the presence of
trap levels in the niobium pentoxide band gap. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
