| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Троян, Е. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Смирнов, А. Г. | - |
| dc.contributor.author | Степанов, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Харьков, С. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Королева, Е. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Филимонов, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Колобов, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Кононов, A. A. | - |
| dc.coverage.spatial | Санкт-Петербург | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-05-25T06:50:52Z | - |
| dc.date.available | 2026-05-25T06:50:52Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Диэлектрические свойства тонкоплёночных элементов памяти Au-Al2Te3-SnTe-Au / Е. Ф. Троян, А. Г. Смирнов, А. А. Степанов [и др.] // Всероссийская конференция по люминесценции LUMOS-2026 : сборник материалов, Санкт-Петербург, 18–22 мая 2026 года / Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербургский Академический университет им. Ж.И. Алферова. – Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2026. – С. 352–353. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63815 | - |
| dc.description.abstract | Ранее нами было установлено, что эффект порогового переключения в пленках теллура (Те) с примесями алюминия (Al) и кислорода (O2) обусловлен процессами электромиграции ионов примесей (Al+, O–) под действием внешнего электрического поля с образованием либо на поверхности Те, либо на границе раздела Al-Al2O3-Te метастабильных высокопроводящих полуметаллических кластеров 2D-дихалькогенидов AlTe2 с метавалентными направленными связями (bond alignment). Такие дихалькогениды в природе сами по себе существовать не могут. Но как мы установили, данные метастабильные кластеры 2D-дихалькогенидов AlTe2 можно удержать в стабильном высокопроводящем состоянии либо под действием внешнего напряжения Uудер., либо индуцированным внутренним полем Uинд. пленок сегнетоэлектриков SnTe или GeTe. Нами был изготовлен и исследован стабильно работающий тонкопленочный энергонезависимый элемент памяти со структурой Au-Al2Te3-SnTe-Au. Если электрические параметры данного элемента памяти изучены достаточно подробно, то их диэлектрические свойства представляют определённый практический интерес. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | диэлектрические свойства | en_US |
| dc.subject | тонкопленочные элементы памяти | en_US |
| dc.subject | энергонезависимая память | en_US |
| dc.subject | плёнки сегнетоэлектриков | en_US |
| dc.subject | высокопроводящее состояние | en_US |
| dc.subject | метастабильные кластеры | en_US |
| dc.title | Диэлектрические свойства тонкоплёночных элементов памяти Au-Al2Te3-SnTe-Au | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
