Влияние топологических параметров на основные электрофизические характеристики силовых GaN НЕМТ

Abstract

Транзисторы с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) (англ. High Electron Mobility Transistor (НЕМТ) на основе нитридных гетероструктур представляют значительный интерес для современной силовой и СВЧ-электроники благодаря высокой плотности тока, устойчивости к большим электрическим полям и возможности работы в жестких температурных режимах. При проектировании таких приборов одной из центральных задач является выбор топологии активной области, поскольку именно геометрические параметры в значительной степени определяют распределение электрического поля, сопротивление канала, уровень утечек и достижимое пробивное напряжение. Как показывают литературные данные, компромисс между малыми потерями в открытом состоянии и высокой электрической прочностью является принципиальным для AlGaN/GaN-структур [1, 2]. В этой связи исследование влияния расстояний исток-затвор, затвор-сток и длины затвора на электрофизические характеристики ТВПЭ представляет практический интерес.