| DC Field | Value | Language |
| dc.contributor.author | Иванюта, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Шеверденко, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Артюшкевич, Г. Д. | - |
| dc.contributor.author | Дудич, В. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-06-11T06:21:38Z | - |
| dc.date.available | 2026-06-11T06:21:38Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Сравнение мемристорных эффектов в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия / С. М. Иванюта, А. В. Шеверденко, Г. Д. Артюшкевич, В. В. Дудич // Радиотехника и электроника : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 15–16 апреля 2026 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 234–235. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64120 | - |
| dc.description.abstract | В работе исследованы механизмы резистивного переключения в МДМ-структурах на основе диоксида титана (TiO2) и
пентаоксида ниобия (Nb2O5), полученных методом электрохимического анодирования. Исследовано влияние морфологии
полученных оксидных слоёв и материала верхнего электрода на электрофизические характеристики мемристорных ячеек.
Экспериментально подтверждено, что комбинация электродов с высокой работой выхода (никель) и пористой структуры оксида обеспечивает коэффициент переключения до 50 и снижает напряжение переключения до 2 В. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | вентильные металлы | en_US |
| dc.subject | мемристоры | en_US |
| dc.subject | резистивное переключение | en_US |
| dc.subject | пористые оксидные структуры | en_US |
| dc.subject | энергоэффективная память | en_US |
| dc.title | Сравнение мемристорных эффектов в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|