| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Нгуен, Ч. Т. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-06-23T06:13:01Z | - |
| dc.date.available | 2026-06-23T06:13:01Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Нгуен, Ч. Т. Магнитные свойства наночастиц кобальт/оксид кобальта на графене / Ч. Т. Нгуен // Радиотехника и электроника : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 15–16 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 197–198. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64241 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлено исследование конструкции 4H-SiC БТИЗ с траншейной структурой (далее БТИЗ) с p-экранирующим слоем.
В состоянии запирания p-экран фиксируется при низком потенциале за счет проводимости p-канального МОП-транзистора,
обеспечивая эффективную защиту подзатворного оксида от сильного электрического поля. В открытом состоянии p-экран
изолирован от эмиттерного электрода слоем n-кармана, что способствует усилению эффекта инжекции носителей. При высоких
напряжениях коллектор-эмиттер p-экран напрямую соединяется с эмиттером через эффект прокола (punch-through) PNP
транзистора с открытой базой, что позволяет снизить ток насыщения. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | электрические поля | en_US |
| dc.subject | коммуникативные характеристики | en_US |
| dc.subject | интеллектуальные сети | en_US |
| dc.title | Магнитные свойства наночастиц кобальт/оксид кобальта на графене | en_US |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
