| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шебеко, В. Н. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-06-24T06:32:46Z | - |
| dc.date.available | 2026-06-24T06:32:46Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Шебеко, В. Н. Электрохимическое осаждение и фотопроводимость тонких пленок оксида ванадия / В. Н. Шебеко // Радиотехника и электроника : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 15–16 апреля 2026 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 216–217. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64263 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования и разработки процесса электрохимического осаждения наноструктурированных тонких пленок оксида ванадия на подложки Si/Ti в электролите на основе NH4VO3 в потенциостатическом режиме с помощью потенциогальваностата AutoLab-100N. Исследованы переходные характеристики фототока в электрохимической ячейке при освещении осаждаемой тонкой пленки широкополосным излучением галогенной лампы. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | электрохимическое осаждение | en_US |
| dc.subject | фотопроводимость | en_US |
| dc.subject | фотодетекторы | en_US |
| dc.title | Электрохимическое осаждение и фотопроводимость тонких пленок оксида ванадия | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
